磁阻效应（magnetoresistance effect）

        半导体材料的电阻率随着磁场强度的增强而加大,这种现象称磁阻效应。磁阻的产生是由于有磁场时载流子的运动发生偏转,它从一个电极到另一电极所走的路程比起没有磁场时要长,所以电阻就增大。实际上,磁阻与载流子在材料中散射(碰撞)的细致规律和具体的能带结构有关。通常载流子迁移率随磁场强度的增大而减小,于是电阻率就增加。在弱磁场下,材料电阻相对变化率正比于磁场强度B的平方。在强磁场下,材料电阻相对变化率与 B成正比。

磁阻位移传感器（magnetoresistance displacement sen-sor）

        用磁阻元件检测位移的传感器。检测位移的方法有两种。第一种方法是在有梯度的磁场中设置磁阻元件,元件由于位置不同而承受的磁场有差异,故电阻值不同，根据电阻值变化便可检测出位移。第二种方法,两个磁阻元件仅各自的一部分受磁场作用,若移动永久磁铁,则一个磁阻元件所受磁场减少,电阻值随之减少，而另一个磁阻元件所受磁场增加,电阻值随之增加,两个磁阻元件差动地工作,根据永久磁铁移动而产生的模拟输出即可确定位移。第二种方法已广泛应用。磁阻位移传感器的特点是非接触检测位移。