在线客服
周一至周六 8:30-17:30
名称内容
MS32.pdf
产品说明:
MS32磁阻传感器的内部结构为一个惠斯通电桥,由四个具有各向异性磁阻效应的坡莫合金电阻组成。沿着Y轴平行于芯片表面(X-Y平面)的单向磁场将产生一个输出信号。磁场开关点一般设置为Hs=1.85kA/m(几乎不受温度影响)。此外,在较大磁场范围内的特性曲线是线性的。因此,MS32对不同机械环境和磁场环境的适应性非常强。传感器采用了流行的TDFN封装。
技术指标:
类 型:弱磁开关量 程:1~3kA/m磁场开关 精 度: 0.1kA/m(典型值)输 出:比率输出 ,10mV/V分 辨 率:0.1kA/m(典型值)工作温度:-25℃~+85℃ 电气连接:TDFN特 点:线性比率输出,温度补偿开关点典型应用:活塞位置开关,替代磁簧开关,工业/消费品/汽车领域非接触位置检测,小冲程气缸,笔记本和手机翻盖位置,门/窗开关
选型指南: